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全部学习汇总 GreyZhang/g_TC275: happy hacking for TC275! (github.com)

关于这部分感觉能够看到的比较有实践指导价值的信息不多。这里关于是否支持cache的信息之前在内核手册等地方其实也看过了。

1. DFlash不支持buffer命中的功能从这方面看其实这一种Flash在操作的准确性上要求高但是并不要求数据的吞吐能力。
2. 系统复位或者上电复位之后等待的时钟周期配置会被启动代码改掉。在进行不同频率的时钟切换的时候需要注意到修改这个等待的时间参数。

1. 如果应用比较在乎延迟的影响但是并不是很关注整体的数据吞吐量那么可以使用请求读取的功能。
2. 错误的地址访问会导致报错从藕有一个错误置位。这里多少有点让我迷糊了一下难道这个不会直接触发trap吗
3. 如果在请求读取服务过程中进行直接读取并不会被阻塞而是以插队的方式实现。

1. 正常模式下一个Bank可能会有读取模式、命令模式。
2. 在读取模式中可能会切换到page模式而这个page模式其实是使能了接收数据用于编程的功能。
3. HSM有一个专门的DFlash应用接口这个允许HSM随时可以访问这个接口即使是FSR中是BUSY的状态。

除了内存映射读取之外所有的Flash操作都是以命令流的方式来实现的。

1. FSI执行了Flash的命令通过HSM以及CPU时间片的方式。其中HSM的时间片是5ms而CPU的时间片是50ms。
2. 在HSM时间片中执行的是HSM的命令。而HMS与CPU的身份是交替切换的。

这里跳过了一部分内容其实是关于Flash的驱动实现流程的。关于FLASH的操作一般来说都很少去自己写驱动而是直接用半导体厂商提供的我也不去细致了解这个过程了。简单浏览了一下跳过。而关于命令流的实施以及9组如何实现都在这一个表格中。