（HiP247）SCT20N120AG/SCTW70N120G2V 碳化硅（SiC）功率MOSFET（1200V）

一、SCT20N120AG（20A）汽车级

该1200V 汽车级碳化硅功率MOSFET采用 ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。 该器件具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：239毫欧 @ 10A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：650 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：153W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：HiP247™

封装/外壳：TO-247-3

基本产品编号：SCT20

明佳达电子（供求）1200V（HiP247）SCT20N120AG/SCTW70N120G2V碳化硅（SiC）功率MOSFET

二、SCTW70N120G2V（1200V、91A）

SiC（碳化硅）功率MOSFET导通电阻极小，开关性能非常出色，几乎不受温度影响，因为宽带隙材料具有先进、创新的特性。该器件还具有非常快速、坚固的内置体二极管以及极低的栅极电荷和输入能力。额定温度高达200°C，因此改进了电力电子系统的热设计。

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：91A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 50A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：150 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3540 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：547W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：HiP247™

封装/外壳：TO-247-3

基本产品编号：SCTW70