MOS管特性及其几种常用驱动电路详解，电子工程师手把手教你-CSDN博客

在电子工程中MOS管金属氧化物半导体场效应管是一种非常重要的半导体元件。

在这篇文章中我们将深入探讨MOS管的特性以及几种常用的驱动电路的工作原理和设计方法。无论你是初学者还是经验丰富的电子工程师相信你都能从这篇文章中获得有价值的信息。

一、MOS管的特性

MOS管是一种电压控制型器件具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等优点。它的工作原理基于半导体材料的能带理论通过调节栅极电压来控制沟道的导通和截止。

在MOS管的电路符号中G代表栅极D代表漏极S代表源极。栅极通过施加电压来控制漏极和源极之间的导通和截止。

漏极和源极之间的高电阻率区域形成了MOS管的通道。当栅极电压超过阈值电压时通道导通漏极和源极之间形成电流。

二、几种常用的MOS管驱动电路

1、电源IC直接驱动电源 IC 直接驱动是最简单的驱动方式应该注意以下几个参数的影响
①查看电源 IC 手册的最大驱动峰值电流不同芯片驱动能力大多时候不一样。
②了解 MOS 管的寄生电容如图C1、C2的值寄生电容越小越好。

2、推挽驱动当电源 IC 驱动能力不足时可用推挽驱动。它能提升电流的提供能力迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。

推挽驱动增加了导通所需要的时间但减少了关断时间使开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

3、加速关断驱动MOS 管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供 MOSFET 栅源极间电容电压快速泄放保证开关管能快速关断。

为使栅源极间电容电压的快速泄放常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管。其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大、损坏电源 IC 。

4、隔离驱动为满足高端 MOS 管的驱动经常会采用变压器驱动。R1目的是抑制 PCB 板上寄生的电感与C1形成 LC 振荡C1的目的是隔开直流通过交流同时也能防止磁芯饱和。

以上就是我们今天要分享的MOS管析。希望这些信息能帮助你更好地理解和应用MOS管以及相关的驱动电路。

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