3.4 只读存储器

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学习目标

学习只读存储器ROM的目标可以包括以下内容

  1. 了解ROM的基本概念、分类以及适用场景。
  2. 掌握ROM的电路原理、逻辑结构和读取方式。
  3. 熟悉ROM的编程方式和编程工具。
  4. 理解ROM与EPROM、EEPROM和闪存的区别和联系。
  5. 了解ROM在计算机系统中的应用场景和作用。
  6. 掌握ROM的技术指标和性能评估方法。
  7. 理解ROM在嵌入式系统设计中的应用和实践案例。

通过以上学习目标的学习和掌握可以全面了解ROM的相关知识和技术为后续的计算机系统设计和嵌入式系统开发提供基础和支持。

学习步骤

学习只读存储器ROM的方法可以包括以下步骤

1. 了解ROM的基本概念和特点了解ROM与RAM的区别掌握ROM的存储原理、读取方式、编程方法以及应用领域等基本概念和特点。

2. 学习ROM的种类和结构掌握ROM的种类、结构、容量和速度等主要技术指标了解各种ROM的工作原理、优缺点和适用场景。

3. 学习ROM的编程方式和过程了解ROM的编程方式包括刻录和烧录两种方式掌握各种ROM的编程过程和注意事项。

4. 学习ROM的应用了解ROM在各个领域的应用如微控制器、存储芯片、计算机BIOS等。

5. 进行实践操作通过购买或使用ROM编程器学习如何对ROM进行编程和读取操作并在实践中加深理解。

6. 阅读相关文献阅读相关书籍、论文、文章和技术资料了解ROM的最新研究进展和应用案例不断拓展对ROM的认识和应用。

7. 参加相关培训或课程参加相关培训或课程深入了解ROM的理论和实践知识提高ROM应用技能和实际应用能力。

总之学习只读存储器需要系统学习理论知识同时加强实践操作不断深化对ROM的理解和应用能力。

 

3.4.1 只读存储器概述

只读存储器Read-Only MemoryROM是一种只能读取数据而不能写入的存储器。它是一种非易失性存储器通常用于存储程序、固件、配置信息等数据。

ROM的数据是在制造过程中被预设的因此它不能像RAM一样被程序写入和修改。ROM的读取速度通常比RAM慢但是它具有很高的可靠性和稳定性因为它不会因为断电而失去数据。

ROM的主要分类包括以下几种

  1. Mask ROM它是制造时被编程的ROM也称为固定程序ROM。在生产过程中使用特殊的工具来编程一旦编程就不能再修改。它的优点是速度快可靠性高但缺点是一旦生产就不能修改所以只适用于大量生产的产品中。

  2. PROMPROM是可编程只读存储器Programmable Read-Only Memory的缩写是由用户自行编程的ROM。在生产过程中使用特殊的编程器将数据写入PROM一旦编程就不能再修改。与Mask ROM相比PROM可以在生产之后进行编程但缺点是编程速度慢容易受到紫外线的影响而失去数据。

  3. EPROMEPROM是可擦除可编程只读存储器Erasable Programmable Read-Only Memory的缩写。它可以通过紫外线来擦除使得EPROM可以被重复编程。EPROM的擦除需要特殊的设备擦除时间比较长而且擦除次数有限。

  4. EEPROMEEPROM是可擦除可编程只读存储器Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory的缩写与EPROM相比它可以通过电子信号来擦除。EEPROM的擦除速度比EPROM快而且可以擦除次数更多但是价格更高。

  5. Flash MemoryFlash Memory是一种特殊的EEPROM它可以一次性擦除整个芯片而不是像EEPROM一样只能擦除一部分。Flash Memory具有快速读取速度容量大擦除次数多等特点因此在存储器领域被广泛使用。

总的来说只读存储器具有不可修改的特性但是具有高可靠性和稳定性的优点广泛应用于嵌入式系统、计算机外围设备、智能卡等领域。

 

 

3.4.2 NOR内存

NOR闪存是一种非易失性存储器常用于存储代码和数据例如手机、相机、音乐播放器等设备中的存储芯片。与传统的EPROM和EEPROM不同闪存可以被电擦除并重写具有更高的密度和更长的寿命。

下面是NOR闪存的一些主要特点

  1. NOR闪存的逻辑结构每个NOR闪存芯片包含多个块每个块包含多个扇区每个扇区包含多个页每个页包含多个字节。

  2. NOR闪存的读取读取NOR闪存中的数据需要通过地址和时序信号来访问存储单元。读取速度相对较慢但是支持随机读取。

  3. NOR闪存的编程编程是将数据写入存储单元的过程。由于闪存芯片的特殊结构编程需要将整个块擦除并重写因此编程速度较慢。

  4. NOR闪存的擦除擦除是将存储单元中的数据清除为初始状态的过程。与编程类似擦除也需要将整个块清除因此速度相对较慢。

  5. NOR闪存的可靠性由于闪存的特殊结构和工作方式NOR闪存有一些独特的可靠性问题如写入时的错误、擦除时的漏洞、累积擦写次数的限制等。

总的来说NOR闪存是一种可靠的非易失性存储器具有随机读取和高密度等优点但是编程和擦除速度相对较慢同时也有一些可靠性问题需要注意。

 

 

1.NOR内存的外部接口与逻辑结构

NOR闪存是一种非易失性存储器可以用作代码存储器、数据存储器和固件存储器。它采用并行存储的方式因此访问速度比串行存储器快适用于需要快速访问的应用。

NOR闪存的外部接口通常包括地址总线、数据总线、控制信号等。在读取数据时首先需要提供所需数据的地址然后在数据总线上读取数据。在写入数据时需要提供要写入的数据和目标地址。

NOR闪存的逻辑结构由一系列存储单元组成每个存储单元包含一个字节或多个字节的数据。这些存储单元按照类似于RAM的方式进行编址并且可以被随机访问。

NOR闪存的逻辑结构也包括一些特殊的区域如引导扇区和保留扇区。引导扇区通常用于存储引导代码而保留扇区可以用于存储特殊的数据或配置信息。

总的来说NOR闪存的外部接口和逻辑结构相对简单但其读取速度比较慢而且对于大容量存储需要占用较大的物理空间。因此NOR闪存通常用于对速度要求较高、容量较小的应用中。

 

 

 2.NOR内存的区块划分

NOR闪存的逻辑结构可以划分为多个块每个块可以独立擦除和编程。块的大小通常是64KB或128KB可以由闪存厂商定义和决定。

通常情况下NOR闪存的块划分为以下几个区域

  1. Boot Block用于存储引导程序。通常大小为16KB或32KB。
  2. Parameter Block用于存储设备参数如硬件配置信息、序列号等。通常大小为16KB。
  3. Main Block主要用于存储程序代码和数据是最大的存储区域。
  4. Spare Block备用块主要用于备份关键数据如文件系统的元数据等。

这些块的划分可以根据实际需求进行定制不同厂商可能会有不同的划分方式。

 

 

 总结

只读存储器ROM是一种用于存储程序和数据的非易失性存储器其内容在生产时被编程无法被擦除或修改。以下是只读存储器的重点和难点以及易错点

重点

  • 只读存储器是一种非易失性存储器通常用于存储固定的程序代码和数据。
  • 只读存储器的内容在生产时被编程无法被擦除或修改。
  • 只读存储器的访问速度较快但容量较小。
  • 只读存储器有多种类型如ROM、PROM、EPROM和EEPROM等。

难点

  • 只读存储器的内容是固定的无法修改因此需要在设计和生产阶段确定好存储的内容这需要对存储的需求有清晰的了解和预判。
  • 只读存储器的编程和生产成本较高因此需要仔细考虑设计和生产成本的平衡。

易错点

  • 在使用只读存储器时需要确保正确的引脚接线以避免读取或写入错误的存储位置。
  • 只读存储器的容量通常较小如果存储需求超过容量则需要考虑其他存储器类型或数据压缩等方法。
  • 如果使用EEPROM存储器需要注意其擦除和编程的次数限制避免过度使用而导致存储器失效。

 

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