高压（3000V）IXBH10N300HV、IXYN50N170CV1离散式超轻穿通型（XPT™）高电压IGBT器件

IXBH10N300HV 是一款3000V 高压反向导通 (BiMOSFET™) IGBT器件，它将MOSFET和IGBT的优势相结合。这些高压器件的饱和电压和内置二极管的正向电压降均具有正电压温度系数，因此非常适合用于并联运行。“自由”内置体二极管用作保护二极管，为器件关断期间的感性负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt电压瞬变对器件造成损坏。

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：3000 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：34 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：88 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，10A

功率 - 最大值：180 W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：46 nC

25°C 时 Td（开/关）值：36ns/100ns

测试条件：960V，10A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：1.6 µs

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263HV

基本产品编号：IXBH10

明佳达电子供应且回收高压（3000V）IXBH10N300HV、IXYN50N170CV1离散式超轻穿通型（XPT™）高电压IGBT器件

1700V IXYN50N170CV1是一款离散式超轻穿通型（XPT™）高电压IGBT器件。与其他IGBT相比，该系列IGBT具有更高的效率、无需串联多个器件、提供可靠性的电力系统优势。

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：1700 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：485 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.7V @ 15V，50A

功率 - 最大值：880 W

开关能量：8.7mJ（开），5.6mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：260 nC

25°C 时 Td（开/关）值：22ns/236ns

测试条件：850V，50A，1 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：255 ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

供应商器件封装：SOT-227B

基本产品编号：IXYN50

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